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数据更新:2026-07-11 11:45:10
| 词语 | 辐照损伤 |
|---|---|
| 拼音 | fú zhào sǔn shāng |
| 拼音字母 | fu zhao sun shang |
| 拼音首字母 | fzss |
| 注音 | ㄈㄨˊ ㄓㄠˋ ㄙㄨㄣˇ ㄕㄤ |
| 注音符号 | ㄈㄨ ㄓㄠ ㄙㄨㄣ ㄕㄤ |
辐照对于材料和元器件(包括半导体器件和IC)产生损伤的基本机理是电离损伤和位移损伤。电离损伤主要是在半导体和绝缘体中产生电子-空穴对,需要的能量较低;而位移损伤主要是在半导体中产生晶格空位(即原子离开晶格位置后所留下的空位),需要的能量要高得多。半导体中的这些损伤也就是造成器件和IC的辐照效应的根本原因。