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数据更新:2026-07-11 08:56:16
| 词语 | 过热点 |
|---|---|
| 拼音 | guò rè diǎn |
| 拼音字母 | guo re dian |
| 拼音首字母 | grd |
| 注音 | ㄍㄨㄛˋ ㄖㄜˋ ㄉㄧㄢˇ |
| 注音符号 | ㄍㄨㄛ ㄖㄜ ㄉㄧㄢ |
过热点是一种冶金、电子工程的专业术语。用深能级瞬态谱(DLTS)和液晶显示等技术分析了软特性硅功率器件体内‘’过热点‘’的微观结构及形成原因。表明:在高温扩散工艺中,较大温度梯度产生的局部热应力场,造成重金属杂质择优淀积,使晶体缺陷电激活,是产生体内‘’过热点‘’的根源。根据热加速场发射效应解释了‘’过热点"对硅功率器件电学性能的影响。